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型号 SPB02N60C3
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
SPB02N60C3 PDF
代理商 SPB02N60C3
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 1,000
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 1.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.9V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 12.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 200pF @ 25V
功率 - 最大 25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000013516
SPB02N60C3INTR
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-ND
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